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“华体会app下载”第三代半导体器件制备及评价技术获突破

发布时间:2021-09-29 12:32浏览次数:
本文摘要:以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,不具备低穿透电场、低热导率、低电子饱和状态速率及抗强电磁辐射能力等出色性能,在光电子和微电子领域具备最重要的应用于价值,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。据科技部网站消息,“十二五”期间,863计划重点反对了“第三代半导体器件制取及评价技术”项目。

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以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,不具备低穿透电场、低热导率、低电子饱和状态速率及抗强电磁辐射能力等出色性能,在光电子和微电子领域具备最重要的应用于价值,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。据科技部网站消息,“十二五”期间,863计划重点反对了“第三代半导体器件制取及评价技术”项目。

近日,科技部工业园司在北京的组织开会项目竣工验收不会,项目重点环绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺展开研究,研发出有基于新型基板的第三代半导体器件PCB技术,符合对应高性能PCB和低成本消费级PCB的市场需求,研制出高带宽GaN闪烁器件及基于闪烁器件的红外线通信技术,并构建智能家居展示系统的批量生产;积极开展第三代半导体PCB和系统可靠性研究,构成涉及标准或技术规范;制取出有高性能SiC基GaN器件。通过项目的实行,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能PCB以及红外线通讯等领域获得突破,自律发展出有涉及材料与器件的关键技术,有助承托我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的根本性市场需求。“十三五”期间,为更进一步推展我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制订了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,将“战略先进设备电子材料”列入发展重点之一,以第三代半导体材料与半导体灯光、新型表明为核心,以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点,推展跨界技术统合,守住先进设备电子材料技术的制高点。

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